MOSFET和三極管，在ON狀態(tài)時(shí)，MOSFET通常用Rds，三極管通常用飽和Vce。

是否存在能夠反過(guò)來(lái)的情況，三極管用飽和Rce，而MOSFET用飽和Vds呢？

三極管ON狀態(tài)時(shí)工作于飽和區(qū)，導(dǎo)通電流Ice主要由Ib與Vce決定，由于三極管的基極驅(qū)動(dòng)電流Ib一般不能保持恒定，因而Ice就不能簡(jiǎn)單的僅由Vce來(lái)決定，即不能采用飽和Rce來(lái)表示(因Rce會(huì)變化)。由于飽和狀態(tài)下Vce較小，所以三極管一般用飽和Vce表示。

MOS管在ON狀態(tài)時(shí)工作于線性區(qū)(相當(dāng)于三極管的飽和區(qū))，與三極管相似，電流Ids由Vgs和Vds決定，但MOS管的驅(qū)動(dòng)電壓Vgs一般可保持不變，因而Ids可僅受Vds影響，即在Vgs固定的情況下，導(dǎo)通阻抗Rds基本保持不變，所以MOS管采用Rds方式。

電流可以雙向流過(guò)MOSFET的D和S ，正是MOSFET這個(gè)突出的優(yōu)點(diǎn)，讓同步整流中沒(méi)有DCM的概念，能量可以從輸入傳遞到輸出，也可以從輸出返還給輸入，能實(shí)現(xiàn)能量雙向流動(dòng)。

?