P-N結及其電流電壓特征
　　晶體二極管為一個由 p 型半導體和 n 型半導體構成的 p-n 結，在其界面處兩側構成空間電荷層，并建有自建電場。當不存在外加電壓時，因為 p-n 結雙方載流子濃度差惹起的分散電流和自建電場惹起的漂移電流相稱而處于電均衡形態。 當外界有正向電壓偏置時，外界電場和自建電場的相互抑消感化使載流子的分散電流增長惹起了正向電流：
　　當外界有反向電壓偏置時，外界電場和自建電場進一步增強，構成在反向電壓范疇內與反向偏置電壓值有關的反向飽和電流 I0 。 當外加的反向電壓高到水平時， p-n 結空間電荷層中的電場強度到達臨界值孕育發生載流子的倍增歷程，孕育發生少量電子空穴對，孕育發生了數值很大的反向擊穿電流，稱為二極管的擊穿征象。
　　雙極結型三極管相稱于兩個背靠背的二極管 PN 結。正向偏置的 EB 結有空穴從發射極注入基區，此中大局部空穴可以抵達集電結的邊境，并在反向偏置的 CB 結勢壘電場的感化下抵達集電區，構成集電極電流 IC 。 在共發射極晶體管電路中 , 發射結在基極電路中正向偏置 , 其電壓 降很小。絕大局部 的集電極和發射極之間的外加偏壓都加在反向偏置的集電結上。因為 VBE 很小，以是基極電流約為 IB= 5V/50 k Ω = 0.1mA 。 假如晶體管的共發射極電放逐大系數β = IC / IB =100, 集電極電流 IC= β*IB=10mA。在500Ω的集電極負載電阻上有電壓降VRC=10mA*500Ω=5V，而晶體管集電極和發射極之間的壓降為VCE=5V，假如在基極偏置電路中疊加一個交變的小電流ib，在集電極電路中將呈現一個響應的交變電流ic，有c/ib=β，完成了雙極晶體管的電放逐鴻文用。
　　金屬氧化物半導體場效應三極管的根本事情道理是靠半導體外表的電場效應，在半導體中感生出導電溝道來停止事情的。 當柵 G 電壓 VG 增大時， p 型半導體外表的半數以上載流子棗空穴逐步淘汰、耗盡，而電子逐步積聚到反型。當外表到達反型時，電子積聚層將在 n+ 源區 S 和 n+ 漏區 D 之間構成導電溝道。當 VDS ≠ 0 時，源泄電極之間有較大的電流 IDS 流過。使半導體外表到達強反型時所需加的柵源電壓稱為閾值電壓 VT 。當 VGS>VT 并取差別數值時，反型層的導電才能將改動，在雷同的 VDS 下也將孕育發生差別的 IDS , 完成柵源電壓 VGS 對源泄電流 IDS 的節制。