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   雙極結型三極管相當于兩個背靠背的二極管 PN 結。正向偏置的 EB 結有空穴從發射極注入基區，其中大部分空穴能夠到達集電結的邊界，并在反向偏置的 CB 結勢壘電場的作用下到達集電區，形成集電極電流 IC 。在共發射極晶體管電路中 , 發射結在基極電路中正向偏置 , 其電壓降很小。大部分 的集電極和發射極之間的外加偏壓都加在反向偏置的集電結上。由于 VBE 很小，所以基極電流約為 IB= 5V/50 k Ω = 0.1mA 。
   如果晶體管的共發射極電流放大系數β = IC / IB =100, 集電極電流 IC= β*IB=10mA。在500Ω的集電極負載電阻上有電壓降VRC=10mA*500Ω=5V，而晶體管集電極和發射極之間的壓降為VCE=5V，如果在基極偏置電路中疊加一個交變的小電流ib，在集電極電路中將出現一個相應的交變電流ic，有c/ib=β，實現了雙極晶體管的電流放大作用。 
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