2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時各企業(yè)也圍繞這些元件展開了烈的開發(fā)競爭。
　　SiC功率半導(dǎo)體方面，在柵極設(shè)有溝道的溝道型MOSFET的開發(fā)在2013年大幅加速。以前推出的SiC MOSFET只有平面型，尚未推出溝道型。溝道型MOSFET的導(dǎo)通電阻只有平面型的幾分之一，因此可以進(jìn)一步降低損耗。
　　GaN功率元件方面，日本各大企業(yè)相繼發(fā)布了新產(chǎn)品，還有不少企業(yè)宣涉足功率元件業(yè)務(wù)。其中，變化較大的是耐壓600V的GaN功率晶體管。耐壓600V的功率晶體管能夠應(yīng)用于空調(diào)、電磁爐等白色家電，混合動力汽車和純電動汽車的逆變器，光伏逆變器及工業(yè)設(shè)備等輸出功率在數(shù)百～數(shù)萬W的功率轉(zhuǎn)換器。
　　GaN功率半導(dǎo)體的生產(chǎn)能夠沿用過去生產(chǎn)邏輯IC等產(chǎn)品使用的支持6～8英寸Si基板的生產(chǎn)設(shè)備以及面向LED引進(jìn)的GaN類半導(dǎo)體外延設(shè)備等，這將推動亞洲企業(yè)涌進(jìn)該市場。
　　GaN功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，在SiC功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，日本以外的亞洲企業(yè)的實力也在逐漸強。