對于單一陽極技術成為標準通用型選擇是由于其出色的性價比。多陽極設計可提供低的ESR值，但其缺點是生產成本要高于單陽極解決方案。標準的芯片集成工藝的槽式陽極設計是低ESR與低成本折中的一種結果。因此，槽式設計通常用于價格同時要求低ESR的設計，而多陽極技術適合用于既要求低ESR更要求高可靠性的應用中，如電信基礎設施、網絡、服務器和軍事/航空航天等應用。

除了上述差異，多陽極的概念有另兩處。

(1)多陽極設計具有好的散熱性能，這意味著多陽極電容可以承載高的持續電流；同理，多陽極電容對抗電流浪涌危害的能力也強。

(2)相多陽極電容的單位容積效率較低，這導致了一種假設，認為多陽極不能達到與單一陽極一樣的CV（定電壓因素）。薄的陽極實現起來容易，并且易被二個二氧化錳電極系統穿透，使高的CV得以利用，因此，多陽極電容器能達到同樣甚至高的CV水平。