貼片電容Q值是一個無量綱數，數值上電容的電抗除以寄生電阻（ESR）。Q值隨頻率變化而有很大的變化，這是由於電抗和電阻都隨著頻率而變。頻率或者容量的改變會使電抗有著大的變化，因此Q值也會跟著發生很大的變化。從公式一和二上可以體現出來：
公式一：|Z| = 1 / ( 2πf C)其中，|Z|為電抗的絕對值，單位Ω；f為頻率，單位Hz；C為容量，單位元F。

公式二：Q = |Z| / ESR其中，Q代表“品質因素”，無量綱；|Z|為電抗的絕對值，單位Ω；ESR為等效串聯電阻，單位Ω。

電容器應該表現為ESR為零歐姆、純容抗性的無阻抗元件。不論何種頻率，電流通過貼片電容時都會比電壓提前正好90度的相位。

實際上，會或多或少存在值的ESR。一個特定貼片電容的ESR隨著頻率的變化而變化，并且是有等式關系的。這是由於ESR的來源是導電電極結構的特性和絕緣介質的結構特性。為了模型化分析，把ESR當成單個的串聯寄生元。過去，的電容參數都是在1MHz的標準頻率下測得，但當今是一個高頻的世界，1MHz的條件是遠遠不夠的。一個性能的高頻電容給出的典型參數值應該為：200MHz ，ESR＝0.04Ω；900MHz， ESR＝0.10Ω；2000MHz，ESR＝0.13Ω。

用從向量網路分析器收集而得的S參數去推導ESR是不可信的。主要原因是這個資料的精度受限於網路分析器在50Ω系統中的精度（典型的± 0.05 dB測量精度在電容低到±0.01 dB低損耗區是精度不足的）。同樣，用LCR儀表去測量高Q器件的Q和ESR也是不可信的。這是由於當元件的Q 值非常高時，LCR 儀表不能正確地分辨出小的貼片電阻（R）和非常大的電抗（Z）。因此，高Q電容器的ESR和Q的測量方法，一般使用作為行業標準的諧振線路測試法。