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?為AI加速卡供電的貼片電感飽和電流選型指南

文章出處:平尚科技 責(zé)任編輯:平尚科技 發(fā)表時(shí)間:2025-10-20
  
?為AI加速卡供電的貼片電感飽和電流選型指南



在AI加速卡向高性能發(fā)展的進(jìn)程中,供電系統(tǒng)的穩(wěn)定性直接決定了芯片算力的發(fā)揮。貼片電感作為電源管理電路中的核心元件,其飽和電流特性對(duì)系統(tǒng)可靠性具有決定性影響。東莞市平尚電子科技有限公司基于工業(yè)級(jí)技術(shù)積累,為AI加速卡供電系統(tǒng)提供了專業(yè)的貼片電感選型方案。


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飽和電流與溫升電流的辯證關(guān)系
飽和電流(Isat)和溫升電流(Itemp)是電感選型的兩個(gè)關(guān)鍵參數(shù)。平尚科技的貼片電感通過優(yōu)化磁芯材料和繞組結(jié)構(gòu),在3225封裝尺寸下實(shí)現(xiàn)飽和電流達(dá)25A,溫升電流達(dá)20A的性能水平。與普通電感相比,這種差異在AI訓(xùn)練卡的大電流場(chǎng)景中尤為明顯:當(dāng)GPU核心瞬間負(fù)載變化時(shí),高飽和電流可防止磁芯飽和導(dǎo)致的電感值下降,而適宜的溫升電流則確保器件在長期運(yùn)行中的熱可靠性。




實(shí)際測(cè)試數(shù)據(jù)顯示,平尚科技的貼片電感在額定電流下工作時(shí),電感值衰減可控制在10%以內(nèi),而普通產(chǎn)品在相同條件下的衰減可能超過30%。這種穩(wěn)定性確保了AI推理卡在持續(xù)高負(fù)載運(yùn)行中,電源紋波能穩(wěn)定在15mV以內(nèi),滿足國內(nèi)主流AI芯片的供電需求。

電感值與頻率特性的協(xié)同考量
電感值的選擇需與工作頻率相匹配。平尚科技通過多層級(jí)優(yōu)化策略,為不同類型的AI加速卡提供差異化方案:在低頻段(100kHz-1MHz)采用10μH電感提供能量儲(chǔ)備;中頻段(1MHz-10MHz)使用1μH電感實(shí)現(xiàn)快速響應(yīng);高頻段(10MHz-100MHz)則推薦100nH電感以抑制噪聲。




這種方案在某國產(chǎn)AI訓(xùn)練卡的實(shí)踐中得到驗(yàn)證:通過精準(zhǔn)匹配電感值與開關(guān)頻率,將電源轉(zhuǎn)換效率提升至94%,同時(shí)將電壓跌落改善60%。相比之下,單一電感值方案在動(dòng)態(tài)負(fù)載下的電壓波動(dòng)往往超過5%,難以滿足高性能AI芯片的供電要求。

封裝尺寸與散熱性能的平衡藝術(shù)
隨著AI加速卡功率密度的提升,電感封裝尺寸與散熱能力的平衡成為選型難點(diǎn)。平尚科技的4020封裝貼片電感通過采用高導(dǎo)熱封裝材料,在3×3mm尺寸下實(shí)現(xiàn)飽和電流達(dá)15A,同時(shí)熱阻降至35℃/W。與普通電感相比,這種改進(jìn)使得在相同工作電流下的溫升降低15-20℃,顯著提升了系統(tǒng)可靠性。

在邊緣計(jì)算AI卡的緊湊設(shè)計(jì)中,平尚科技的2012封裝電感展現(xiàn)出獨(dú)特優(yōu)勢(shì):通過扁平化設(shè)計(jì)和優(yōu)化散熱路徑,在1.5A工作電流下溫升控制在30℃以內(nèi),完全滿足國內(nèi)邊緣設(shè)備對(duì)散熱空間的嚴(yán)苛限制。




材料創(chuàng)新與可靠性提升
磁芯材料的選擇直接影響電感的飽和特性。平尚科技采用納米晶復(fù)合磁芯材料,使貼片電感的飽和磁通密度提升至1.2T,同時(shí)將磁芯損耗降低40%。這種創(chuàng)新使得電感在125℃高溫環(huán)境下仍能保持穩(wěn)定的電感值,衰減率控制在±5%以內(nèi)。

可靠性測(cè)試表明,平尚科技的工業(yè)級(jí)貼片電感在85℃/85%RH環(huán)境下經(jīng)過1000小時(shí)老化測(cè)試后,參數(shù)漂移小于±3%。雖然未獲得車規(guī)級(jí)認(rèn)證,但這一數(shù)據(jù)完全滿足AI加速卡對(duì)元器件可靠性的要求。

實(shí)際應(yīng)用案例與選型建議
在某國產(chǎn)AI訓(xùn)練卡的電源模塊中,采用平尚科技的貼片電感方案后,成功將峰值阻抗從50mΩ降低到8mΩ,GPU核心頻率從1.5GHz提升到1.8GHz,同時(shí)系統(tǒng)功耗降低12%。這一成果彰顯了精準(zhǔn)電感選型對(duì)AI加速卡性能提升的價(jià)值。




基于豐富的應(yīng)用經(jīng)驗(yàn),平尚科技建議AI加速卡設(shè)計(jì)人員在選型時(shí)重點(diǎn)關(guān)注以下參數(shù):飽和電流應(yīng)為工作電流峰值的1.5倍以上,直流電阻(DCR)需低于10mΩ,自諧振頻率應(yīng)高于開關(guān)頻率的10倍。同時(shí),通過合理的布局將去耦電容與電感的距離控制在2mm以內(nèi),可進(jìn)一步優(yōu)化電源性能。

隨著AI算力需求的持續(xù)增長,貼片電感的飽和電流選型將成為影響電源系統(tǒng)性能的關(guān)鍵因素。平尚科技通過不斷創(chuàng)新材料技術(shù)與優(yōu)化產(chǎn)品設(shè)計(jì),為AI加速卡提供了可靠的貼片電感解決方案,助力國產(chǎn)AI硬件實(shí)現(xiàn)更高水平的性能突破。

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