PC 指集電極允許耗散功率，使用時不能過此功率；

  IC 指集電極允許直流電流；

  IB 指基極允許直流電流；

  Tj 結溫度，指PN結溫度；

  VCEO（集電極—發射極擊穿電壓）基極開路，C、E之間的反向擊穿電壓。

  VCBO（集電極—基極擊穿電壓）發射極開路，C、B之間的反向擊穿電壓。

  VEBO（發射極—基極擊穿電壓）集電極開路，E、B之間的反向擊穿電壓。

  HFE(共發射極正向電流傳輸比)：在共發射極電路中，輸出電壓保持不變時，直流輸出電流與直流輸入電流之比。

  ICBO（集電極—基極截止電流）：當發射極開路時，在規定的集電極—基極電壓下，流過集電極—基極結的反向電流。

  IEBO（發射極—基極截止電流）：當集電極開路時，在規定的發射極—基極電壓下，流過發射極—基極結的反向電流。

  VCE（SAT）（集電極—發射極飽和壓降）：晶體管工作于飽和區時，在規定的基極電流和集電極電流下，集電極子與發射極子之間的電壓;

  VBE（SAT）（基極—發射極飽和壓降）：晶體管工作于飽和區時，在規定的基極電流和集電極電流下，基極子與發射極子之間的電壓；

  VBE（基極—發射極電壓）：在規定的VCE、IC的條件下，晶體管的基極—發射極正向電壓。

  FT（特征頻率）：共發射小信號正向電流傳輸比的模數下降到1時的頻率；

  Cob（共基極輸出電容）：在共基極電路中，輸入交流開路時的輸出電容。