
MOS管,中文全稱是金屬-氧化物-半導體場效應晶體管。你可以把它想象成一個由電壓控制的水龍頭(電子開關)。
三個引腳:
源極(S):好比是進水口。
漏極(D):好比是出水口。
柵極(G):好比是水龍頭的閥門旋鈕。
這個“水龍頭”控制的對象不是水流,而是電流。你通過旋轉閥門(給柵極施加電壓)來控制水管中水流(源極和漏極之間的電流)的通斷和大小。
二、核心結構:關鍵就在那個“夾心餅”
我們以最常見的N溝道增強型MOS管為例,它的結構可以看作一個“夾心餅”:
襯底(P型半導體):底座,可以想象成一塊“地基”。
兩個“島嶼”(N型半導體):在地基上挖了兩個“坑”,里面填上不同的“材料”,分別引出源極(S) 和漏極(D)。
絕緣層(SiO?氧化物):在源極和漏極之間的區域,鋪上了一層超級薄的玻璃(二氧化硅)。這層玻璃是絕緣的,所以正常情況下,柵極和下面的“地基”是不導通的。
柵極(G,金屬):在絕緣層上面,蓋上一個金屬板作為控制板。
這個“金屬(G)-氧化物(絕緣層)-半導體(襯底)”的結構,就是MOS管名字的由來。三、工作原理:神奇的“感生通道”
MOS管工作的精髓,就在于柵極電壓是如何在源極和漏極之間“變出”一條導電通道的。
狀態一:柵極不加電壓(Vgs = 0)
此時,源極(N區)和漏極(N區)之間被P型襯底隔開,相當于兩個背對背的二極管。
所以,源極和漏極之間是不導通的,相當于開關斷開。無論你怎么在D和S之間加電壓,都沒有電流流過(忽略微小的漏電流)。
狀態二:柵極加正電壓(Vgs > 閾值電壓 Vth)
這是魔法發生的地方:
吸引電子:當你在柵極(G)加上一個正電壓,它就像一塊“磁鐵”,開始吸引P型襯底中的帶負電的自由電子。
形成溝道:隨著柵極電壓不斷升高,被吸引到絕緣層下方的電子越來越多。當電壓超過某一個臨界值(閾值電壓 Vth)時,這個區域的電子濃度會超過空穴,從P型轉變為N型!
接通電路:這個感生出來的N型區,就像一座橋梁,將源極(N區)和漏極(N區)連接了起來。這個橋梁就是 “N溝道”。
此時,如果在源極(S)和漏極(D)之間加上電壓,就會有顯著的電流(Id)從漏極流向源極。相當于開關閉合。
四、核心要點總結
電壓控制:MOS管是電壓控制型器件。柵極幾乎不取電流(只會有瞬間的充電電流),靠柵極電壓(Vgs) 來控制源漏之間的通斷。這是它與三極管(電流控制)的根本區別。
絕緣柵極:因為有絕緣層的存在,柵極是絕緣的,輸入阻抗極高。
閾值電壓(Vth):這是MOS管的“開啟壓力”。只有當柵極電壓高過這個值時,管子才會導通。
分類:上面我們講的是N溝道增強型MOS管,也是最常用的一種。根據溝道類型和默認狀態,還有:
N溝道:主電流(Id)從D流向S,導通時G需要加正電壓。
P溝道:主電流(Id)從S流向D,導通時G需要加負電壓。
增強型:默認斷開,Vgs=0時無溝道,需要加電壓才能“增強”出溝道。
耗盡型:默認導通,Vgs=0時就有溝道,需要加電壓才能“耗盡”溝道使其關閉(較少用)。
實際應用中的靈魂畫作
對于電子工程師來說,在分析電路時,腦海里更常用的是下面這張“靈魂畫作”來理解MOS管:
寄生二極管:在實際的MOS管中,由于生產工藝,會存在一個寄生二極管(或稱體二極管)反向并聯在D和S之間。
導通特性:對于N-MOS,當 Vgs > Vth 時,D和S之間可以雙向導通,電流既可以從D到S,也可以從S到D。但在多數開關電路中,我們利用的是從D到S的電流方向。
希望這個從“水龍頭”到“感生溝道”的解釋,能讓你覺得 MOS管的工作原理,就是這么簡單!