四大法則教你如何正確選取MOS管

挑選MOS管確實是個技術活，它直接影響著電路的效率、成本和可靠性。下面這個表格匯總了四大核心法則的選型要點，方便你快速把握。

進階選型要點

在掌握四大法則的基礎上，了解這些進階知識能讓你的選型更加精準。

封裝選擇：封裝影響散熱和空間。TO-220、DPAK等封裝散熱好，適合中大功率；SOT-23、DFN等小型封裝適合便攜設備。大功率應用必須配散熱器。

體二極管：MOS管內部有一個寄生二極管（體二極管）。在電機控制、同步整流等需要電流雙向流動或續流的電路中，這個二極管的反向恢復特性（反向恢復時間、反向恢復電荷）很重要，選擇反向恢復時間短的MOS管有助于減小損耗和EMI干擾。

柵極閾值電壓（Vth）：這是使MOS管開始導通的最低柵極電壓。Vth選得太低，抗干擾能力會變差，容易誤觸發；選得太高，又可能需要更高的驅動電壓，增加驅動電路設計的復雜度。

驅動要求：驅動電路要能提供足夠的柵極充電電流以快速充放電。柵極總充電電量（Qg） 越小，通常所需驅動電流越小，驅動電路設計也相對簡單。務必確保驅動電壓不超過MOS管的最大柵源電壓（VGS）。

實用選型流程

面對一個具體項目時，你可以遵循以下步驟：

明確電路條件：先搞清楚電路的拓撲結構（決定用N溝道還是P溝道）、輸入輸出電壓、最大連續電流和峰值電流、開關頻率以及環境溫度范圍。

初選電壓電流：根據步驟1的條件，依據電壓余量（1.2~1.5倍） 和電流余量初步篩選一批MOS管。

評估損耗與溫升：計算導通損耗和開關損耗，結合MOS管的熱阻參數，估算結溫。務必保證結溫在芯片允許的最大結溫之下（通常為150℃或175℃）。

檢查驅動兼容性：確認你的驅動電路能否提供足夠的電壓和電流，使MOS管能達到預期的開關速度。

確認封裝與散熱：根據PCB空間和散熱條件，最終確定封裝形式。如果估算結溫較高，必須設計額外的散熱措施（如散熱片、導熱硅脂等）。