?通信設(shè)備電源入口的壓敏電阻與GDTTVS協(xié)同防護(hù)方案
在AI算力基礎(chǔ)設(shè)施高速發(fā)展的背景下,通信設(shè)備電源系統(tǒng)的可靠性已成為保障數(shù)據(jù)中心穩(wěn)定運(yùn)行的關(guān)鍵。特別是電源入口處的防護(hù)設(shè)計(jì),直接關(guān)系到GPU服務(wù)器、交換機(jī)等昂貴核心設(shè)備在浪涌與雷擊等突發(fā)情況下的生存能力。東莞市平尚電子科技有限公司(平尚科技)基于工業(yè)級(jí)技術(shù)積累,通過壓敏電阻與氣體放電管(GDT)、瞬態(tài)電壓抑制二極管(TVS)的協(xié)同設(shè)計(jì),為AI電源系統(tǒng)提供了多層次的可靠防護(hù)方案。

防護(hù)體系架構(gòu)與能量分級(jí)策略通信設(shè)備電源入口的防護(hù)本質(zhì)是一個(gè)能量分配與泄放的系統(tǒng)工程。平尚科技采用三級(jí)協(xié)同防護(hù)架構(gòu):GDT作為第一級(jí)負(fù)責(zé)泄放大能量,壓敏電阻作為第二級(jí)進(jìn)行主能量吸收,TVS作為第三級(jí)提供精確鉗位。這種設(shè)計(jì)使得雷擊浪涌的能量能夠被逐級(jí)削弱,最終將數(shù)千伏的沖擊電壓降至安全范圍。實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)顯示,該方案可將8/20μs波形(一種標(biāo)準(zhǔn)的雷擊浪涌測(cè)試波形)的6kV浪涌電壓限制到60V以下,保護(hù)后端核心電路免遭損壞。壓敏電阻的核心作用與關(guān)鍵參數(shù)壓敏電阻在防護(hù)體系中承擔(dān)著能量吸收的主干角色。平尚科技的壓敏電阻采用氧化鋅陶瓷材料,在常態(tài)下呈現(xiàn)高阻態(tài)(阻值>10?Ω),當(dāng)電壓超過閾值時(shí)能在納秒級(jí)時(shí)間內(nèi)轉(zhuǎn)變?yōu)榈妥钁B(tài)。與普通壓敏電阻相比,其產(chǎn)品在能量耐受密度上提升約30%,通流能力可達(dá)4.5kA至6kA(以14mm直徑產(chǎn)品為例)。這種特性在AI服務(wù)器的電源入口中尤為重要,當(dāng)電網(wǎng)因大型設(shè)備啟停產(chǎn)生瞬時(shí)過壓時(shí),壓敏電阻能迅速動(dòng)作,將電壓鉗位在安全閾值。GDT與壓敏電阻的時(shí)序配合GDT與壓敏電阻的配合是防護(hù)效果的關(guān)鍵。平尚科技的方案中,GDT的響應(yīng)時(shí)間略慢于壓敏電阻,但具有更高的浪涌電流處理能力(可達(dá)10kA以上)。這種時(shí)序差異使得壓敏電阻率先響應(yīng)并吸收部分能量,隨后GDT導(dǎo)通泄放大部分能量。在通信基站的實(shí)測(cè)中,這種配合可將感應(yīng)雷擊產(chǎn)生的1000A浪涌電流在1μs內(nèi)泄放至地線,殘壓控制在480V以內(nèi)。

TVS二極管的精準(zhǔn)鉗位作用TVS二極管在防護(hù)末端提供精準(zhǔn)電壓鉗位。平尚科技的TVS選型注重低鉗位比與快速響應(yīng)特性,其響應(yīng)時(shí)間可達(dá)皮秒級(jí)別。當(dāng)壓敏電阻將電壓限制到一定水平后,TVS能迅速將殘壓進(jìn)一步鉗位至后端電路的安全范圍。在48V通信電源系統(tǒng)中,這種三級(jí)防護(hù)可將瞬態(tài)過壓精確控制在75V以下,確保電源管理芯片不受損傷。
元器件的溫度特性直接影響防護(hù)系統(tǒng)的長(zhǎng)期可靠性。平尚科技的壓敏電阻通過摻雜優(yōu)化,在-40℃至85℃溫度范圍內(nèi),壓敏電壓變化率控制在±5%以內(nèi)。相比之下,普通壓敏電阻在高溫下的參數(shù)漂移可能超過±10%。這種穩(wěn)定性確保了AI加速卡電源系統(tǒng)在長(zhǎng)時(shí)間高負(fù)載運(yùn)行時(shí),防護(hù)閾值不會(huì)因溫度波動(dòng)而產(chǎn)生顯著變化。在多個(gè)5G基站與AI計(jì)算節(jié)點(diǎn)的電源入口設(shè)計(jì)中,平尚科技的協(xié)同防護(hù)方案展現(xiàn)出卓越性能。某國(guó)產(chǎn)AI訓(xùn)練服務(wù)器的電源模塊采用該方案后,順利通過IEC 61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的6kV浪涌測(cè)試,模塊完好率100%。在東南沿海多雷區(qū)的實(shí)際運(yùn)行數(shù)據(jù)顯示,配備該防護(hù)方案的設(shè)備在雷雨季節(jié)的故障率降低約70%。?
PCB布局對(duì)防護(hù)效能發(fā)揮至關(guān)重要。平尚科技建議采用“先防護(hù)后濾波”的布局原則,將防護(hù)器件盡可能靠近電源接口,GDT、壓敏電阻和TVS的引線長(zhǎng)度分別控制在3cm、2cm和1cm以內(nèi)。通過優(yōu)化接地設(shè)計(jì)與降低回路電感,可將防護(hù)響應(yīng)速度提升約25%,更好地抑制高頻噪聲。
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現(xiàn)代通信設(shè)備對(duì)空間利用提出嚴(yán)苛要求。平尚科技的貼片壓敏電阻通過優(yōu)化內(nèi)部結(jié)構(gòu),在3225封裝尺寸下實(shí)現(xiàn)1750A的浪涌電流耐受能力。與插件壓敏電阻相比,這種貼片設(shè)計(jì)在保持性能的同時(shí)占用空間減少約60%,為高功率密度AI電源的設(shè)計(jì)提供了更多靈活性。在元器件選型中,平尚科技通過分級(jí)使用策略實(shí)現(xiàn)成本與可靠性的最佳平衡。在核心電源路徑使用高性能壓敏電阻,確保關(guān)鍵部位的防護(hù)效果;在輔助電路則采用經(jīng)濟(jì)型號(hào),控制整體成本。這種策略使得在預(yù)算增加15%的情況下,系統(tǒng)防護(hù)等級(jí)提升約50%,顯著提高了產(chǎn)品的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。
隨著AI設(shè)備功率密度的不斷提升,防護(hù)方案也在持續(xù)創(chuàng)新。平尚科技正在研發(fā)基于納米摻雜技術(shù)的壓敏電阻,通過將晶粒尺寸從微米級(jí)壓縮至納米級(jí),使通流能力提升約50%,響應(yīng)速度加快至0.25ns。這種技術(shù)突破將為下一代AI電源系統(tǒng)提供更堅(jiān)實(shí)的防護(hù)保障。通信設(shè)備電源入口的防護(hù)設(shè)計(jì)是確保AI基礎(chǔ)設(shè)施可靠運(yùn)行的第一道關(guān)卡。平尚科技通過壓敏電阻與GDT、TVS的協(xié)同設(shè)計(jì),構(gòu)建了從粗保護(hù)到細(xì)保護(hù)的多級(jí)防護(hù)體系,為通信設(shè)備應(yīng)對(duì)浪涌與雷擊挑戰(zhàn)提供了可靠解決方案。隨著技術(shù)持續(xù)進(jìn)步,這種協(xié)同防護(hù)方案將繼續(xù)演進(jìn),為國(guó)產(chǎn)AI硬件的發(fā)展保駕護(hù)航。