通過(guò)MOSFET陣列與數(shù)字電位器實(shí)現(xiàn)動(dòng)態(tài)拓?fù)淝袚Q

通過(guò)MOSFET陣列與數(shù)字電位器實(shí)現(xiàn)動(dòng)態(tài)拓?fù)淝袚Q?

在AI計(jì)算設(shè)備電源系統(tǒng)的發(fā)展中，動(dòng)態(tài)拓?fù)淝袚Q技術(shù)正在成為提升能效和適應(yīng)性的重要手段。通過(guò)MOSFET陣列與數(shù)字電位器的協(xié)同控制，電源系統(tǒng)可以根據(jù)負(fù)載需求實(shí)時(shí)調(diào)整工作模式，實(shí)現(xiàn)效率的最優(yōu)化。平尚科技基于工業(yè)級(jí)技術(shù)積累，在可重構(gòu)電源架構(gòu)方面形成了完善的技術(shù)方案。

動(dòng)態(tài)切換的技術(shù)原理

傳統(tǒng)電源拓?fù)湓诠潭üぷ髂Ｊ较码y以兼顧輕載效率和重載性能。平尚科技采用多組MOSFET陣列配合數(shù)字電位器，實(shí)現(xiàn)了Buck、Boost和Buck-Boost等多種拓?fù)淠Ｊ降膭?dòng)態(tài)切換。測(cè)試數(shù)據(jù)顯示，在10%-100%負(fù)載范圍內(nèi)，這種可重構(gòu)架構(gòu)可將整體效率保持在90%以上，相比固定拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)提升約15%。特別是在AI推理設(shè)備的動(dòng)態(tài)工作場(chǎng)景中，當(dāng)負(fù)載從20%突然增至80%時(shí)，系統(tǒng)可在50微秒內(nèi)完成拓?fù)淝袚Q，輸出電壓波動(dòng)控制在3%以內(nèi)。

MOSFET陣列的優(yōu)化設(shè)計(jì)

MOSFET陣列的性能直接影響切換速度和效率。平尚科技的MOSFET采用先進(jìn)的溝槽柵工藝，單個(gè)MOS管的開(kāi)關(guān)時(shí)間可控制在25納秒以內(nèi)，導(dǎo)通電阻低至1.8mΩ。在陣列配置中，通過(guò)優(yōu)化柵極驅(qū)動(dòng)電路，將多個(gè)MOS管的同步誤差控制在5納秒以內(nèi)，確保了拓?fù)淝袚Q過(guò)程的平穩(wěn)性。實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)顯示，采用優(yōu)化后的MOSFET陣列，拓?fù)淝袚Q過(guò)程中的效率損失可降低至2%以下。

數(shù)字電位器的精準(zhǔn)控制

數(shù)字電位器在動(dòng)態(tài)調(diào)節(jié)中承擔(dān)著關(guān)鍵角色。平尚科技的數(shù)字電位器采用32位分辨率設(shè)計(jì)，阻值調(diào)節(jié)精度可達(dá)0.1%，溫度系數(shù)穩(wěn)定在±50ppm/℃范圍內(nèi)。在輸出電壓動(dòng)態(tài)調(diào)整過(guò)程中，這種精度確保了反饋網(wǎng)絡(luò)的穩(wěn)定性，將輸出電壓的過(guò)沖限制在5%以內(nèi)。與傳統(tǒng)的機(jī)械電位器相比，數(shù)字電位器的響應(yīng)時(shí)間從毫秒級(jí)提升至微秒級(jí)，更好地滿足了動(dòng)態(tài)調(diào)節(jié)的需求。

實(shí)際應(yīng)用的效果驗(yàn)證

在某國(guó)產(chǎn)AI訓(xùn)練服務(wù)器的電源模塊中，采用動(dòng)態(tài)拓?fù)淝袚Q技術(shù)后，系統(tǒng)在典型工作負(fù)載下的平均效率達(dá)到94%，比傳統(tǒng)方案提升8%。特別是在夜間低負(fù)載時(shí)段，系統(tǒng)自動(dòng)切換至高效率模式，將待機(jī)功耗從15W降低至8W，顯著改善了整體能效表現(xiàn)。

熱管理的重要考量

動(dòng)態(tài)切換帶來(lái)的熱問(wèn)題需要特別關(guān)注。平尚科技通過(guò)優(yōu)化MOSFET陣列的布局和散熱設(shè)計(jì)，在滿載條件下將芯片結(jié)溫控制在105℃以內(nèi)。采用熱仿真分析指導(dǎo)的散熱方案，使得在頻繁切換工況下，元器件的溫度波動(dòng)范圍從±20℃縮小至±8℃，提升了系統(tǒng)的可靠性。

電磁兼容性的改善

拓?fù)淝袚Q過(guò)程中產(chǎn)生的電磁干擾是需要解決的重要問(wèn)題。平尚科技通過(guò)優(yōu)化切換時(shí)序和增加緩沖電路，將切換過(guò)程中的電壓變化率控制在10V/ns以內(nèi)，有效抑制了高頻噪聲的產(chǎn)生。測(cè)試結(jié)果顯示，采用優(yōu)化方案后，系統(tǒng)的電磁干擾水平比傳統(tǒng)設(shè)計(jì)降低6dB，完全滿足工業(yè)設(shè)備的電磁兼容要求。

雖然動(dòng)態(tài)拓?fù)淝袚Q方案增加了MOSFET陣列和數(shù)字電位器等元器件，但通過(guò)系統(tǒng)優(yōu)化，整體成本增幅控制在15%以內(nèi)。考慮到能效提升帶來(lái)的運(yùn)營(yíng)成本降低，預(yù)計(jì)在兩年內(nèi)即可收回增加的初始投資，具有顯著的經(jīng)濟(jì)性。

平尚科技的動(dòng)態(tài)拓?fù)淝袚Q方案經(jīng)過(guò)嚴(yán)格的可靠性測(cè)試。在85℃環(huán)境溫度下連續(xù)運(yùn)行1000小時(shí)的測(cè)試中，系統(tǒng)切換功能保持穩(wěn)定，MOSFET和數(shù)字電位器的參數(shù)變化均控制在規(guī)格范圍內(nèi)。這種可靠性確保了系統(tǒng)在長(zhǎng)期運(yùn)行中的穩(wěn)定性。

隨著AI設(shè)備工作模式的日益復(fù)雜，動(dòng)態(tài)拓?fù)淝袚Q技術(shù)將發(fā)揮更大作用。平尚科技正在開(kāi)發(fā)基于人工智能算法的預(yù)測(cè)控制技術(shù)，通過(guò)預(yù)判負(fù)載變化趨勢(shì)，提前進(jìn)行拓?fù)淝袚Q，預(yù)計(jì)可將系統(tǒng)效率再提升3-5%。

通過(guò)MOSFET陣列與數(shù)字電位器的協(xié)同創(chuàng)新，平尚科技為AI電源系統(tǒng)提供了靈活高效的可重構(gòu)解決方案。這種動(dòng)態(tài)拓?fù)淝袚Q技術(shù)不僅提升了電源系統(tǒng)的能效水平，更為AI計(jì)算設(shè)備的性能優(yōu)化開(kāi)辟了新的技術(shù)路徑。